型号: VNW100N04-E
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 42 V
漏极连续电流: 100 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.012 Ohms
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 60 S
功率耗散: 208 W
工厂包装数量: 30
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