型号: VP2106N3
功能描述: MOSFET 60V 12Ohm
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Microchip Technology
Id-连续漏极电流: - 250 mA
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 740 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
通道模式: Enhancement
下降时间: 5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 5 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
单位重量: 220 mg
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