型号:  VP2110K1-G

功能描述:  MOSFET 100V 12Ohm

制造商:  Microchip Technology

制造商:  Microchip

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  120 mA

Rds On-漏源导通电阻:  12 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  360 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.95 mm

长度:  2.9 mm

产品:  MOSFET Small Signal

晶体管类型:  1 P-Channel

类型:  FET

宽度:  1.3 mm

商标:  Microchip Technology

正向跨导 - 最小值:  150 mS

下降时间:  4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  5 ns

典型接通延迟时间:  4 ns

单位重量:  8 mg