型号: VP2206N2
功能描述: MOSFET 60V 0.9Ohm
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-39-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 750 mA
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
高度: 6.6 mm
长度: 9.4 mm
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: FET
宽度: 9.4 mm
商标: Microchip Technology
下降时间: 22 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
单位重量: 1.109 g
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