型号: VQ1000J
功能描述: MOSFET QD 60V 0.225A
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 225 mA
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 5500 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: P 1000 DIP-14
封装: Tube
商标: Vishay / Siliconix
通道模式: Enhancement
配置: Quad
最小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 25
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