型号: VQ2001P-E3
功能描述: Trans MOSFET P-CH 30V 0.6A 14-Pin PDIP
制造商: vishay / siliconix
包装: 14PDIP
渠道类型: P
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 30 V
最大连续漏极电流: 0.6 A
RDS -于: 2000@12V mOhm
最大门源电压: ±20 V
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Through Hole
标准包装: Bulk
最大门源电压: ±20
欧盟RoHS指令: Compliant
最高工作温度: 150
标准包装名称: PDIP
包装高度: 3.81(Max)
最大功率耗散: 2000
最大漏源电阻: 2000@12V
最低工作温度: -55
最大漏源电压: 30
每个芯片的元件数: 4
包装宽度: 7.11(Max)
供应商封装形式: PDIP
包装长度: 19.3(Max)
PCB: 14
最大连续漏极电流: 0.6
引脚数: 14
铅形状: Through Hole
单位包: 25
最小起订量: 50
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