型号: VQ2001P-E3
功能描述: Trans MOSFET P-CH 30V 0.6A 14-Pin PDIP
制造商: vishay / siliconix
包装： 14PDIP
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 0.6 A
RDS -于： 2000@12V mOhm
最大门源电压： ±20 V
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Through Hole
标准包装： Bulk
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
标准包装名称： PDIP
包装高度： 3.81(Max)
最大功率耗散： 2000
最大漏源电阻： 2000@12V
最低工作温度： -55
最大漏源电压： 30
每个芯片的元件数： 4
包装宽度： 7.11(Max)
供应商封装形式： PDIP
包装长度： 19.3(Max)
PCB： 14
最大连续漏极电流： 0.6
引脚数： 14
铅形状： Through Hole
单位包： 25
最小起订量： 50
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