型号: VRF2933
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 42 A
Vds-漏源极击穿电压: 180 V
增益: 25 dB
输出功率: 300 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Box
工作频率: 30 MHz
工作温度范围: - 65 C to + 150 C
类型: RF Power MOSFET
商标: Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值: 8 mS
Pd-功率耗散: 648 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 40 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.6 V
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