型号: VS-FC80NA20
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 161nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 10720pF @ 50V
功率耗散（最大值）: 405W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 14 毫欧 @ 80A，10V
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227
封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：柯璇燕
电话：13715372788
Q Q:
联系人：林先生
电话：13590488158
Q Q:
联系人：许先生
电话：18924586008
Q Q:
