型号: VS-GB200TH120N
功能描述: Vishay Semiconductor Diodes Division/分立半导体产品
制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
标准包装： 12
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 模块
系列： -
IGBT 类型： -
配置： 半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 360A
功率 - 最大值： 1136W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.35V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）： 5mA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）： 14.9nF @ 25V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
安装类型： 底座安装
封装/外壳： 双 INT-A-PAK（3 + 4）
供应商器件封装： 双 INT-A-PAK
其它名称： VSGB200TH120N
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