型号: VS-GT300YH120N
功能描述: Vishay Semiconductor Diodes Division/分立半导体产品
制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
标准包装: 12
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 模块
系列: -
IGBT 类型: 沟道
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 341A
功率 - 最大值: 1042W
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.17V @ 15V,300A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值): 300µA
不同?Vce 时的输入电容(Cies): 36nF @ 30V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 双 INT-A-PAK(3 + 8)
供应商器件封装: 双 INT-A-PAK
其它名称: VSGT300YH120N
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