型号: VS150N08BT
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：155A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：259W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Vanguard(威兆)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 155A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 6mΩ @ 80A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 259W(Tc)
类型: N沟道
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：郑
电话：15563751808
Q Q:
联系人：张
Q Q:
