型号: VS5814DS
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
制造商: Vanguard(威兆)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 55V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 9A
栅源极阈值电压: 2.4V @ 250uA
漏源导通电阻: 29mΩ @ 6A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W
类型: N沟道
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