型号: VS8205BH
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：16V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道(共漏)
制造商: Vanguard(威兆)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 16V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5.5A
栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA
漏源导通电阻: 46mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.25W
类型: 双N沟道(共漏)
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