型号: VS8205BH
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：16V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道(共漏)
制造商: Vanguard(威兆)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 16V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5.5A
栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA
漏源导通电阻: 46mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.25W
类型: 双N沟道(共漏)
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13826552952
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13651455585
Q Q:
联系人：蒙生
Q Q:
