型号: VSD013N10MS
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：52A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W 类型：N沟道
制造商: Vanguard(威兆)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 52A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 15mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 78W
类型: N沟道
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