型号: WNM2077-3/TR
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：510mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 350mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：N沟道
制造商: WILLSEMI(韦尔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 510mA
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 600mΩ @ 350mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 310mW
类型: N沟道
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：马亿鑫
电话：18898652162
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13510508629
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13242990037
Q Q:
