型号: WNMD2167-6/TR
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.7A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：双N沟道
制造商: WILLSEMI(韦尔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5.7A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 21mΩ @ 6.3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 900mW
类型: 双N沟道
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