型号: WNSC101200Q
功能描述: SILICON CARBIDE POWER DIODE
制造商: WeEn Semiconductors
包装:
系列: -
零件状态: 有源
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）: 1200V
电流 - 平均整流（Io）: 10A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf: 1.6V @ 10A
速度: 无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）: 0ns
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流: 110µA @ 1200V
不同Vr，F 时的电容: 510pF @ 1V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: TO-220AC
工作温度 - 结: 175°C（最大）
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