型号: WPT2N32-6/TR
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：860mV @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道
制造商: WILLSEMI(韦尔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 800mA
栅源极阈值电压: 860mV @ 250uA
漏源导通电阻: 600mΩ @ 550mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.1W
类型: N沟道
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