型号: WSD2012DN25
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：双N沟道
制造商: WINSOK微硕
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 11A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 9.5mΩ @ 5.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.7W
类型: 双N沟道
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