型号: WSD4066DN
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双N沟道
制造商: WINSOK微硕
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 14A
栅源极阈值电压: 2V @ 250uA
漏源导通电阻: 17mΩ @ 14A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W
类型: 双N沟道
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