型号: XGP6508B
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：1.62V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 4A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：氮化镓(GaN)功率晶体管
制造商: XINGUAN(芯冠)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 21A
栅源极阈值电压: 1.62V @ 250uA
漏源导通电阻: 150mΩ @ 4A,8V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 83W
类型: 氮化镓(GaN)功率晶体管
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