型号: XN0NE9200L
功能描述:
制造商: Panasonic
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.3V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±15V
FET 功能: 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）: 600mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 450 毫欧 @ 800mA，4V
工作温度: 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 迷你型5-G1
封装/外壳: SC-74A，SOT-753
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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