型号: XPH3R114MC,L1XHQ
功能描述: AEC-Q POWER MOSFET TRANSISTOR SO
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: U-MOSVI
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 3.1 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 230nC @ 10V
Vgs(最大值): +20V, -10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 9500pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 960mW(Ta), 170W(Tc)
工作温度: 175°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP Advance(5x5)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
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