型号: XPH3R114MC,L1XHQ
功能描述: AEC-Q POWER MOSFET TRANSISTOR SO
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: U-MOSVI
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 3.1 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 230nC @ 10V
Vgs（最大值）: +20V， -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 9500pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 960mW（Ta）, 170W（Tc）
工作温度: 175°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
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