ZDT6702TA规格参数_ZDT6702TA全国代理商/分销商

型号: ZDT6702TA

功能描述: Trans Darlington NPN/PNP 60V 1.75A 8-Pin SM8 T/R

制造商: diodes, inc

标准包装： 1,000

晶体管类型： NPN, PNP Darlington (Dual)

集电极电流（Ic）（最大）： 1.75A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 60V

Vce饱和（最大）@ IB，IC： 1.28V @ 2mA, 1.75A

电流 - 集电极截止（最大）： 500nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE： 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V

功率 - 最大： 2.75W

频率转换： 140MHz

安装类型： Surface Mount

包/盒： SOT-223-8

供应商器件封装： SM8

包装材料： Tape & Reel (TR);;其他的名称；

包装： 8SM8

配置： Dual Dual Collector

类型： NPN|PNP

最大集电极发射极电压： 60 V

峰值直流集电极电流： 1.75 A

最大集电极发射极饱和电压： 0.95@0.5mA@0.5A@NPN|1.28@2mA@1.75A@NPN|1@0.5mA@0.5A@PNP|1.28@2mA@1.75A@PNP V

最大集电极基极电压： 80 V

安装： Surface Mount

标准包装： Tape & Reel

最大的基射极饱和电压： 1.85@2mA@1.75A@NPN|1.9@2mA@1.75A@PNP

供应商封装形式： SM8

欧盟RoHS指令： Compliant

最高工作温度： 150

最大集电极基极电压： 80

包装高度： 1.6(Max)

最大集电极发射极电压： 60

最大基地发射极电压： 10

封装： Tape and Reel

Maximum Continuous DC Collector Current ： 1.75

最大集电极发射极饱和电压： 0.95@0.5mA@0.5A|1.28@2mA@1.75A@NP...

每个芯片的元件数： 2

包装宽度： 3.7(Max)

PCB： 8

包装长度： 6.7(Max)

最低工作温度： -55

引脚数： 8

最大功率耗散： 2750

单位包： 1000

最小起订量： 1000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）： 1.75A

晶体管类型： NPN, PNP Darlington (Dual)

安装类型： Surface Mount

频率 - 转换： 140MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件： 1.28V @ 2mA, 1.75A

电流 - 集电极截止（最大）： 500nA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 60V

供应商设备封装： SM8

功率 - 最大： 2.75W

封装/外壳： SOT-223-8

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时： 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V

其他名称： ZDT6702TR

RoHS指令： Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量： 1000

产品种类： Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性： NPN/PNP

发射极 - 基极电压VEBO： 10 V

最大功率耗散： 2.75 W

直流集电极/增益hfe最小值： 500 at 4 A, 1000 at 4 A

直流电流增益hFE最大值： 5000

集电极 - 发射极最大电压VCEO： 60 V

安装风格： SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO： 80 V

最低工作温度： - 55 C

集电极最大直流电流： 1.75 A

最高工作温度： + 150 C

RoHS： RoHS Compliant

连续集电极电流： 1.75 A

集电极电流（DC ）： 1.75 A

集电极 - 基极电压： 80 V

集电极 - 发射极电压： 60 V

发射极 - 基极电压： 10 V

工作温度范围： -55C to 150C

包装类型： SM8