型号:  ZDT694TA

功能描述:   Trans GP BJT NPN 120V 0.5A 8-Pin SM8 T/R

制造商:  diodes, inc

标准包装：  1,000

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

集电极电流（Ic）（最大）：  500mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  120V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  500mV @ 5mA, 400mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  400 @ 200mA, 2V

功率 - 最大：  2.75W

频率转换：  130MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-223-8

供应商器件封装：  SM8

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  NPN Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-transistor-arrays/15439?mpart=ZDT694TA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  8SM8

类型：  NPN

引脚数：  8

最大集电极发射极电压：  120 V

集电极最大直流电流：  0.5 A

最小直流电流增益：  500@100mA@2V|400@200mA@2V|150@400mA@2V

最大工作频率：  130(Min) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.25@0.5mA@0.1A|0.5@5mA@0.4A V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  2750 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  0.5

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最大集电极基极电压：  120

最低工作温度：  -55

包装高度：  1.6(Max)

最大功率耗散：  2750

最大基地发射极电压：  5

Maximum Transition Frequency ：  130(Min)

封装：  Tape and Reel

PCB：  8

每个芯片的元件数：  2

包装宽度：  3.7(Max)

供应商封装形式：  SM8

包装长度：  6.7(Max)

最大集电极发射极电压：  120

单位包：  1000

最小起订量：  1000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  500mA

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  130MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  500mV @ 5mA, 400mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  120V

供应商设备封装：  SM8

功率 - 最大：  2.75W

封装/外壳：  SOT-223-8

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  400 @ 200mA, 2V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  ZDT694CT

工厂包装数量：  1000

集电极 - 发射极饱和电压：  0.5 V

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  500 at 100 mA at 2 V, 400 at 200 mA at 2 V, 150 at 400 mA at 2 V

直流电流增益hFE最大值：  500

增益带宽产品fT：  130 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  120 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  120 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Dual