型号:  ZDT751TA

功能描述:   Trans GP BJT PNP 60V 2A 8-Pin SM8 T/R

制造商:  diodes, inc

标准包装：  1,000

晶体管类型：  2 PNP (Dual)

集电极电流（Ic）（最大）：  2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  60V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  500mV @ 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 500mA, 2V

功率 - 最大：  2.75W

频率转换：  140MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-223-8

供应商器件封装：  SM8

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  PNP Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/pnp-transistor-arrays/15512?mpart=ZDT751TA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  8SM8

类型：  PNP

引脚数：  8

最大集电极发射极电压：  60 V

集电极最大直流电流：  2 A

最小直流电流增益：  70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V

最大工作频率：  140(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A V

最大集电极基极电压：  80 V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  2750 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

供应商封装形式：  SM8

欧盟RoHS指令：  Compliant

包装高度：  1.6(Max)

包装宽度：  3.7(Max)

PCB：  8

包装长度：  6.7(Max)

单位包：  1000

最小起订量：  1000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  2A

晶体管类型：  2 PNP (Dual)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  140MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  500mV @ 200mA, 2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  60V

供应商设备封装：  SM8

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  2.75W

封装/外壳：  SOT-223-8

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 500mA, 2V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  ZDT751CT

工厂包装数量：  1000

集电极 - 发射极饱和电压：  - 0.28 V

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  - 5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  70 at 50 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V

直流电流增益hFE最大值：  70

增益带宽产品fT：  140 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  - 60 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  - 80 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Dual

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  - 2 A

集电极电流（DC ）：  2 A

集电极 - 基极电压：  80 V

集电极 - 发射极电压：  60 V

发射极 - 基极电压：  5 V

频率：  140 MHz

功率耗散：  2.75 W

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SM8

元件数：  2

直流电流增益：  70