型号:  ZHB6792TA

功能描述:   Trans GP BJT NPN/PNP 70V 1A 8-Pin SM8 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

晶体管类型：  2 NPN + 2 PNP (H-Bridge)

- 集电极电流（Ic）（最大）：  1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  70V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  750mV @ 50mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  300 @ 100mA, 2V

功率 - 最大：  1.25W

频率转换：  100MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-223-8

供应商器件封装：  SOT-223

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8SM8

类型：  NPN|PNP

引脚数：  8

最大集电极发射极电压：  70 V

集电极最大直流电流：  1 A

最小直流电流增益：  500@100mA@2V@NPN|400@500mA@2V@NPN|150@1A@2V@NPN|300@10mA@2V@PNP|250@500mA@2V@PNP|200@1A@2V@PNP

最大工作频率：  150(Min)@NPN|100(Min)@PNP MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.15@0.5mA@0.1A@NPN|0.5@10mA@1A@NPN|0.45@5mA@500mA@PNP|0.5@25mA@1A@PNP V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  2000 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  1

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最大集电极基极电压：  70

最低工作温度：  -55

包装高度：  1.6(Max)

最大功率耗散：  2000

最大基地发射极电压：  5

Maximum Transition Frequency ：  150(Min)@NPN|100(Min)@PNP

封装：  Tape and Reel

PCB：  8

每个芯片的元件数：  4

包装宽度：  3.7(Max)

供应商封装形式：  SM8

包装长度：  6.7(Max)

最大集电极发射极电压：  70

P（ TOT ）：  1.25W

匹配代码：  ZHB6792

I（C ）：  1A

V（ CEO ）：  70V

单位包：  1000

标准的提前期：  16 weeks

最小起订量：  1000

极化：  NPN/PNP

无铅Defin：  RoHS-conform

电流增益：  400

V（ CBO ）：  70V

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  1A

晶体管类型：  2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  100MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  750mV @ 50mA, 2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  70V

供应商设备封装：  SOT-223

功率 - 最大：  1.25W

封装/外壳：  SOT-223-8

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  300 @ 100mA, 2V

其他名称：  ZHB6792TR

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  1000

集电极 - 发射极饱和电压：  - 0.5 V

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN/PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  500 at 100 mA at 2 V at NPN, 400 at 500 mA at 2 V at NPN, 150 at 1 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 250 at 500 mA at 2 V at PNP, 200 at 1 A at 2 V at PNP

直流电流增益hFE最大值：  500

增益带宽产品fT：  100 MHz, 150 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  70 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  70 V

最低工作温度：  - 55 C