型号:  ZTD09N50DE6QTA

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V Dual NPN Low Sat 1A 7V Vebo

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-26-6

晶体管极性:  NPN

配置:  Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:  50 V

集电极—基极电压 VCBO:  50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  7 V

集电极—射极饱和电压:  24 mV

最大直流电集电极电流:  1 A

增益带宽产品fT:  215 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  ZTD09N50

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Diodes Incorporated

直流集电极/Base Gain hfe Min:  200 at 10 mA, 2 V

Pd-功率耗散:  700 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

资格:  AEC-Q101

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

单位重量:  15 mg