型号:  ZTX1055ASTZ

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT NPN High Current

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

晶体管类型：  NPN

- 集电极电流（Ic）（最大）：  3A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  120V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  310mV @ 150mA, 3A

电流 - 集电极截止（最大）：  10nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  300 @ 1A, 10V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  130MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Box (TB)

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  3A

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  130MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  310mV @ 150mA, 3A

电流 - 集电极截止（最大）：  10nA

标准包装：  2,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  120V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

封装：  Tape & Box (TB)

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  E-Line-3, Formed Leads

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  300 @ 1A, 10V