型号:  ZTX458STOA

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT NPN High Voltage

制造商:  Diodes Inc. / Zetex

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

晶体管类型：  NPN

- 集电极电流（Ic）（最大）：  300mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  400V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  500mV @ 6mA, 50mA

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 50mA, 10V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  50MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

RoHS：  RoHS Compliant

配置：  Single

晶体管极性：  NPN

集电极 - 基极电压VCBO：  400 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  400 V

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

集电极 - 发射极饱和电压：  400 V

集电极最大直流电流：  0.3 A

增益带宽产品fT：  50 MHz

直流集电极/增益hfe最小值：  100 at 1 mA at 10 V, 100 at 50 mA at 10 V, 15 at 100 mA at 10 V

最高工作温度：  + 150 C

安装风格：  Through Hole

封装/外壳：  TO-92

连续集电极电流：  0.3 A

直流电流增益hFE最大值：  100 at 1 mA at 10 V

最大功率耗散：  1 W

最低工作温度：  - 55 C

封装：  Bulk

工厂包装数量：  4000

寿命：  Obsolete

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  300mA

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  50MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  500mV @ 6mA, 50mA

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

标准包装：  2,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  400V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

功率 - 最大：  1W

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 50mA, 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant