型号:  ZTX549

功能描述:   Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-92

制造商:  diodes, inc

标准包装：  4,000

晶体管类型：  PNP

集电极电流（Ic）（最大）：  1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  30V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  750mV @ 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 500mA, 2V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  100MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Bulk

动态目录：  PNP Transistors###/catalog/en/partgroup/pnp-transistors/15177?mpart=ZTX549&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0

包装：  3TO-92

类型：  PNP

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  30 V

集电极最大直流电流：  1 A

最小直流电流增益：  70@50mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V|100@500mA@2V

最大工作频率：  100(Min) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.5@100mA@1A|0.75@200mA@2A V

最大集电极基极电压：  35 V

工作温度：  -55 to 200 °C

最大功率耗散：  1000 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

RoHS：  RoHS Compliant

配置：  Single

晶体管极性：  PNP

集电极 - 基极电压VCBO：  - 35 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  - 30 V

发射极 - 基极电压VEBO：  - 5 V

集电极 - 发射极饱和电压：  - 30 V

增益带宽产品fT：  100 MHz

直流集电极/增益hfe最小值：  70 at 50 mA at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V

最高工作温度：  + 150 C

安装风格：  Through Hole

封装/外壳：  TO-92

连续集电极电流：  - 1 A

直流电流增益hFE最大值：  70 at 50 mA at 2 V

最低工作温度：  - 55 C

封装：  Bulk

工厂包装数量：  4000

集电极最大直流电流：  1

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  200

标准包装名称：  TO-92

包装高度：  4.95(Max)

最大功率耗散：  1000

最大基地发射极电压：  5

Maximum Transition Frequency ：  100(Min)

PCB：  3

最低工作温度：  -55

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  35

供应商封装形式：  TO-92

包装长度：  4.95(Max)

最大集电极发射极电压：  30

铅形状：  Through Hole

单位包：  4000

最小起订量：  4000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  1A

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  100MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  750mV @ 200mA, 2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  30V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

功率 - 最大：  1W