型号:  ZTX576

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT PNP High Voltage

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  4,000

晶体管类型：  PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  200V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  300mV @ 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  50 @ 300mA, 10V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  100MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Bulk

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  1A

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  100MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 10mA, 100mA

标准包装：  4,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  200V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

封装：  Bulk

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  E-Line-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  50 @ 300mA, 10V

工厂包装数量：  4000

增益带宽产品fT：  100 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  - 5 V

最大功率耗散：  1 W

直流集电极/增益hfe最小值：  50 at 10 mA at 10 V, 50 at 300 mA at 10 V

直流电流增益hFE最大值：  50 at 10 mA at 10 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  - 200 V

安装风格：  Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：  - 200 V

最低工作温度：  - 55 C

集电极最大直流电流：  1 A

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  In Transition

连续集电极电流：  - 1 A