型号:  ZTX649STZ

功能描述:   Trans GP BJT NPN 25V 2A 3-Pin E-Line Box

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

晶体管类型：  NPN

- 集电极电流（Ic）（最大）：  2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  25V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  500mV @ 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 1A, 2V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  240MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Box (TB)

包装：  3E-Line

类型：  NPN

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  25 V

集电极最大直流电流：  2 A

最小直流电流增益：  70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V

最大工作频率：  240(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A V

最大集电极基极电压：  35 V

工作温度：  -55 to 200 °C

最大功率耗散：  1000 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Ammo Pack

单位包：  2000

最小起订量：  2000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  2A

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  240MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  500mV @ 200mA, 2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  25V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

封装：  Tape & Box (TB)

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  E-Line-3, Formed Leads

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 1A, 2V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  2000

集电极 - 发射极饱和电压：  0.23 V

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  70 at 50 mA at 2 V, 100 at 1 A at 2 V, 75 at 2 A at 2 V, 15 at 6 A at 2 V

直流电流增益hFE最大值：  70 at 50 mA at 2 V

增益带宽产品fT：  240 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  25 V

安装风格：  Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：  35 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  2 A

集电极电流（DC ）：  2 A

集电极 - 基极电压：  35 V

集电极 - 发射极电压：  25 V

发射极 - 基极电压：  5 V

频率：  240 MHz

功率耗散：  1 W

工作温度范围：  -55C to 200C

包装类型：  E-Line

元件数：  1

直流电流增益：  70