型号:  ZTX655

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT NPN Super E-Line

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  4,000

晶体管类型：  NPN

- 集电极电流（Ic）（最大）：  1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  150V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  500mV @ 200mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  50 @ 500mA, 5V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  30MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Bulk

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  1A

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  30MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  500mV @ 200mA, 1A

标准包装：  4,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  150V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

封装：  Bulk

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  E-Line-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  50 @ 500mA, 5V

工厂包装数量：  4000

集电极 - 发射极饱和电压：  0.5 V

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

最大功率耗散：  1 W

直流集电极/增益hfe最小值：  50 at 10 mA at 5 V, 50 at 500 mA at 5 V, 20 at 1 A at 5 V

直流电流增益hFE最大值：  50 at 10 mA at 5 V

增益带宽产品fT：  30 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  150 V

安装风格：  Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：  150 V

最低工作温度：  - 55 C

集电极最大直流电流：  1 A

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  1 A