型号: ZTX658QSTZ
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 400 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 0.5 V
最大直流电集电极电流: 500 mA
增益带宽产品fT: 50 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 200 C
封装: Ammo Pack
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40
Pd-功率耗散: 1 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
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