型号:  ZTX757

功能描述:   Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin E-Line

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

晶体管类型：  PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  500mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  300V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  500mV @ 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  50 @ 100mA, 5V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  30MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Bulk

包装：  3E-Line

类型：  PNP

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  300 V

集电极最大直流电流：  0.5 A

最小直流电流增益：  50@100mA@5V|40@10mA@5V

最大工作频率：  30(Min) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.5@10mA@100mA V

工作温度：  -55 to 200 °C

最大功率耗散：  1000 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

集电极最大直流电流：  0.5

最低工作温度：  -55

Maximum Transition Frequency ：  30(Min)

包装宽度：  2.41(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  1000

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  300

最大集电极发射极电压：  300

供应商封装形式：  E-Line

标准包装名称：  TO-92

最高工作温度：  200

包装长度：  4.77(Max)

包装高度：  4.01(Max)

最大基地发射极电压：  5

铅形状：  Through Hole

单位包：  4000

最小起订量：  4000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  500mA

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  30MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  500mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  300V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

封装：  Bulk

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  E-Line-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  50 @ 100mA, 5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  4000

集电极 - 发射极饱和电压：  - 0.5 V

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  - 5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  50 at 100 mA at 5 V, 40 at 10 mA at 5 V

直流电流增益hFE最大值：  50 at 100 mA at 5 V

增益带宽产品fT：  30 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  - 300 V

安装风格：  Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：  - 300 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  - 0.5 A

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :300V

Transition Frequency ft：  :30MHz

功耗：  :1W

DC Collector Current：  :500mA

DC Current Gain hFE：  :50

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :200°C

Transistor Case Style：  :E-Line

No. of Pins：  :3

MSL：  :-

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)