型号:  ZTX855

功能描述:   Trans GP BJT NPN 150V 4A 3-Pin E-Line

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

晶体管类型：  NPN

- 集电极电流（Ic）（最大）：  4A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  150V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  260mV @ 400mA, 4A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 1A, 5V

功率 - 最大：  1.2W

频率转换：  90MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Bulk

包装：  3E-Line

类型：  NPN

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  150 V

集电极最大直流电流：  4 A

最小直流电流增益：  100@10mA@5V|100@1A@5V|35@4A@5V

最大工作频率：  90(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.04@5A@100mA|0.06@50mA@500mA|0.1@100mA@1A|0.26@400mA@4A V

最大集电极基极电压：  250 V

工作温度：  -55 to 200 °C

最大功率耗散：  1200 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

集电极最大直流电流：  4

最低工作温度：  -55

Maximum Transition Frequency ：  90(Typ)

包装宽度：  2.41(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  1200

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  250

最大集电极发射极电压：  150

供应商封装形式：  E-Line

标准包装名称：  TO-92

最高工作温度：  200

包装长度：  4.77(Max)

包装高度：  4.01(Max)

最大基地发射极电压：  6

铅形状：  Through Hole

单位包：  4000

最小起订量：  4000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  4A

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  90MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  260mV @ 400mA, 4A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  150V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

封装：  Bulk

功率 - 最大：  1.2W

封装/外壳：  E-Line-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 1A, 5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  4000

集电极 - 发射极饱和电压：  210 mV

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  6 V

直流集电极/增益hfe最小值：  100 at 10 mA at 5 V, 100 at 1 A at 5 V, 35 at 4 A at 5 V

直流电流增益hFE最大值：  100 at 10 mA at 5 V

增益带宽产品fT：  90 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  150 V

安装风格：  Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：  250 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  4 A

集电极电流（DC ）：  4 A

集电极 - 基极电压：  250 V

集电极 - 发射极电压：  150 V

发射极 - 基极电压：  6 V

频率：  90 MHz

功率耗散：  1.2 W

工作温度范围：  -55C to 200C

包装类型：  E-Line

元件数：  1

直流电流增益：  100