型号:  ZTX949STZ

功能描述:   Trans GP BJT PNP 30V 4.5A 3-Pin E-Line Box

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

晶体管类型：  PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  4.5A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  30V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  320mV @ 300mA, 5A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 1A, 1V

功率 - 最大：  1.58W

频率转换：  100MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Box (TB)

包装：  3E-Line

类型：  PNP

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  30 V

集电极最大直流电流：  4.5 A

最小直流电流增益：  100@10mA@1V|100@1A@1V|75@5A@1V

最大工作频率：  100(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.06@20mA@0.5A|0.1@20mA@1A|0.16@200mA@2A|0.32@300mA@5A V

最大集电极基极电压：  50 V

工作温度：  -55 to 200 °C

最大功率耗散：  1200 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Ammo Pack

集电极最大直流电流：  4.5

最低工作温度：  -55

Maximum Transition Frequency ：  100(Typ)

包装宽度：  2.41(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  1200

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  50

最大集电极发射极电压：  30

供应商封装形式：  E-Line

标准包装名称：  TO-92

最高工作温度：  200

包装长度：  4.77(Max)

包装高度：  4.01(Max)

最大基地发射极电压：  6

封装：  Box

铅形状：  Through Hole

单位包：  2000

最小起订量：  2000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  4.5A

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  100MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  320mV @ 300mA, 5A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  30V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

功率 - 最大：  1.58W

封装/外壳：  E-Line-3, Formed Leads

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 1A, 1V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  2000

增益带宽产品fT：  100 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  - 6 V

直流集电极/增益hfe最小值：  100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 75 at 5 A at 1 V

直流电流增益hFE最大值：  100 at 10 mA at 1 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  30 V

安装风格：  Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：  - 50 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  - 4.5 A

集电极电流（ DC）（最大值）：  4.5 A

集电极 - 基极电压：  50 V

集电极 - 发射极电压：  30 V

发射极 - 基极电压：  6 V

频率（最大）：  100 MHz

功率耗散：  1.2 W

工作温度范围：  -55C to 200C

包装类型：  E-Line

元件数：  1

直流电流增益（最小值）：  100

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

频率：  100 MHz