型号:  ZTX955STZ

功能描述:   Trans GP BJT PNP 140V 3A 3-Pin E-Line Box

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

晶体管类型：  PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  3A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  140V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  330mV @ 300mA, 3A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 1A, 5V

功率 - 最大：  1.2W

频率转换：  110MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Box (TB)

包装：  3E-Line

类型：  PNP

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  140 V

集电极最大直流电流：  3 A

最小直流电流增益：  100@10mA@5V|100@1A@5V|75@3A@5V

最大工作频率：  110(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.06@5mA@100mA|0.1@50mA@500mA|0.12@100mA@1A|0.33@300mA@3A V

最大集电极基极电压：  180 V

工作温度：  -55 to 200 °C

最大功率耗散：  1200 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Ammo Pack

P（ TOT ）：  1.2W

匹配代码：  ZTX955STZ

I（C ）：  3A

V（ CEO ）：  140V

单位包：  2000

标准的提前期：  16 weeks

最小起订量：  2000

极化：  NPN

无铅Defin：  RoHS-conform

电流增益：  200

V（ CBO ）：  180V

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  3A

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  110MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  330mV @ 300mA, 3A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  140V

供应商设备封装：  E-Line (TO-92 compatible)

封装：  Tape & Box (TB)

功率 - 最大：  1.2W

封装/外壳：  E-Line-3, Formed Leads

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 1A, 5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  2000

增益带宽产品fT：  110 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  - 6 V

直流集电极/增益hfe最小值：  100 at 10 mA at 5 V, 100 at 1 A at 5 V, 75 at 3 A at 5 V

直流电流增益hFE最大值：  100 at 10 mA at 5 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  140 V

安装风格：  Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：  - 180 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C