型号: ZVN2110C
功能描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
制造商: Diodes Inc.
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 0.32 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 4000 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: E-Line-3
下降时间: 7 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 700 mW
上升时间: 7 ns
典型关闭延迟时间: 13 ns
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