型号: ZVN3320A
功能描述: MOSFET N-Chnl 200V
制造商: Diodes Inc.
Rohs: Lead free / RoHS Compliant
标准包装: 4,000
FET 型 : MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点: Standard
漏极至源极电压(VDSS): 200V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C: 100mA
Rds(最大)@ ID,VGS: 25 Ohm @ 100mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id: 3V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS: -
输入电容(Ciss)@ Vds的: 45pF @ 25V
功率 - 最大: 625mW
安装类型 : Through Hole
包/盒 : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装: TO-92-3
包装材料 : Bulk
FET特点: Standard
封装: Bulk
安装类型: Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C: 100mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id: 3V @ 1mA
供应商设备封装: TO-92-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS: 25 Ohm @ 100mA, 10V
FET型: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大: 625mW
标准包装: 4,000
漏极至源极电压(Vdss): 200V
输入电容(Ciss ) @ VDS: 45pF @ 25V
封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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