型号:  ZVN4210ASTZ

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin TO-92 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  450mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  1.5 Ohm @ 1.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  100pF @ 25V

功率 - 最大：  700mW

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Box (TB)

包装：  3TO-92

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  100 V

最大连续漏极电流：  0.45 A

RDS -于：  1500@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  4(Max) ns

典型上升时间：  8(Max) ns

典型关闭延迟时间：  20(Max) ns

典型下降时间：  30(Max) ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Ammo Pack

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  TO-92

包装高度：  4.95(Max)

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  1500@10V

最低工作温度：  -55

最大漏源电压：  100

每个芯片的元件数：  1

最大功率耗散：  700

供应商封装形式：  TO-92

包装长度：  4.95(Max)

PCB：  3

最大连续漏极电流：  0.45

引脚数：  3

铅形状：  Formed

单位包：  2000

最小起订量：  2000

FET特点：  Standard

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  450mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.4V @ 1mA

封装/外壳：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商设备封装：  TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  1.5 Ohm @ 1.5A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  700mW

漏极至源极电压（Vdss）：  100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  100pF @ 25V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  2000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  450 mA

安装风格：  Through Hole

RDS（ON）：  1.8 Ohms

功率耗散：  700 mW

最低工作温度：  - 55 C

上升时间：  8 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  100 V