型号:  ZVN4525ZTA

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  250V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  240mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  8.5 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.8V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3.65nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  72pF @ 25V

功率 - 最大：  1.2W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-243AA

供应商器件封装：  SOT-89-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-89

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  250 V

最大连续漏极电流：  0.24 A

RDS -于：  8500@10V mOhm

最大门源电压：  ±40 V

典型导通延迟时间：  1.25 ns

典型上升时间：  1.7 ns

典型关闭延迟时间：  11.4 ns

典型下降时间：  3.5 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±40

包装宽度：  2.6(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  1200

最大漏源电压：  250

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  8500@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOT-89

标准包装名称：  SOT-89

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  4.6(Max)

引脚数：  4

包装高度：  1.6(Max)

最大连续漏极电流：  0.24

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Flat

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  240mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1.8V @ 1mA

供应商设备封装：  SOT-89-3

其他名称：  ZVN4525ZTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  8.5 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.2W

漏极至源极电压（Vdss）：  250V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  72pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.65nC @ 10V

封装/外壳：  TO-243AA

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  1000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single Dual Drain

源极击穿电压：  +/- 40 V

连续漏极电流：  240 mA

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  9.5 Ohms

功率耗散：  1.2 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOT-89

上升时间：  1.7 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  250 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  1.7 ns

栅源电压（最大值）：  �40 V

漏源导通电阻：  8.5 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SOT-89

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military