型号: ZVNL120G
功能描述: DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVNL120G, 320 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
制造商: DiodesZetex
通道类型: N
最大连续漏极电流: 320 mA
最大漏源电压: 200 V
最大漏源电阻值: 10 0hms
最大栅阈值电压: 1.5V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: SOT-223
安装类型: 表面贴装
晶体管配置: 单
引脚数目: 3+Tab
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 2 W
宽度: 3.55mm
典型接通延迟时间: 8 ns
典型关断延迟时间: 20 ns
典型输入电容值@Vds: 85 pF@ 25 V
晶体管材料: Si
每片芯片元件数目: 1
最低工作温度: -55 °C
长度: 6.55mm
高度: 1.65mm
正向跨导: 0.2S
尺寸: 6.55 x 3.55 x 1.65mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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