型号:  ZVP0545A

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 450V 0.045A 3-Pin E-Line

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  450V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  45mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  150 Ohm @ 50mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  120pF @ 25V

功率 - 最大：  700mW

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Bulk

包装：  3E-Line

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  450 V

最大连续漏极电流：  0.045 A

RDS -于：  150000@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  10(Max) ns

典型关闭延迟时间：  15(Max) ns

典型下降时间：  20(Max) ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  TO-92

包装高度：  4.01(Max)

最大功率耗散：  700

最大漏源电阻：  150000@10V

最低工作温度：  -55

最大漏源电压：  450

每个芯片的元件数：  1

包装宽度：  2.41(Max)

供应商封装形式：  E-Line

包装长度：  4.77(Max)

PCB：  3

最大连续漏极电流：  0.045

引脚数：  3

铅形状：  Through Hole

单位包：  4000

最小起订量：  4000

FET特点：  Standard

封装：  Bulk

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  45mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4.5V @ 1mA

供应商设备封装：  TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  150 Ohm @ 50mA, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  700mW

漏极至源极电压（Vdss）：  450V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  120pF @ 25V

封装/外壳：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  4000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  P-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  - 50 mA

安装风格：  Through Hole

RDS（ON）：  150 Ohms

功率耗散：  700 mW

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  TO-92

上升时间：  15 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  - 350 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  15 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  150 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  E-Line

极性：  P

类型：  Small Signal

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  450 V

弧度硬化：  No

Continuous Drain Current Id：  :45mA

Drain Source Voltage Vds：  :450V

On Resistance Rds(on)：  :150ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :-10V

Threshold Voltage Vgs：  :-3V

功耗：  :700mW