型号:  ZVP2106ASTOA

功能描述:   MOSFET P-Chnl 60V

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知：  End Of Life 30/July/2009

标准包装：  2,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  280mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  5 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  100pF @ 18V

功率 - 最大：  700mW

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

最大门源电压：  ±20

安装：  Through Hole

包装宽度：  2.41(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  700

最大漏源电压：  60

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  5000@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  E-Line

标准包装名称：  TO-92

最高工作温度：  150

渠道类型：  P

包装长度：  4.77(Max)

引脚数：  3

通道模式：  Enhancement

包装高度：  4.01(Max)

最大连续漏极电流：  0.28

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Through Hole

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  280mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3.5V @ 1mA

封装/外壳：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商设备封装：  TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  5 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  700mW

标准包装：  2,000

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  100pF @ 18V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant