型号:  ZVP2120GTA

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 200V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  200V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  200mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  25 Ohm @ 150mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  3.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  100pF @ 25V

功率 - 最大：  2W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：  SOT-223

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-223

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  200 V

最大连续漏极电流：  0.2 A

RDS -于：  25000@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  7(Max) ns

典型关闭延迟时间：  12(Max) ns

典型下降时间：  15(Max) ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  3.7(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  2000

最大漏源电压：  200

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  25000@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SOT-223

标准包装名称：  SOT-223

最高工作温度：  150

包装长度：  6.7(Max)

引脚数：  4

包装高度：  1.65(Max)

最大连续漏极电流：  0.2

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

单位包：  1000

最小起订量：  1000

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  200mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  3.5V @ 1mA

供应商设备封装：  SOT-223

其他名称：  ZVP2120GTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  25 Ohm @ 150mA, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2W

漏极至源极电压（Vdss）：  200V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  100pF @ 25V

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  1000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  P-Channel

配置：  Single Dual Drain

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  - 200 mA

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  25 Ohms

功率耗散：  2 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOT-223

上升时间：  7 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  - 200 V