型号:  ZX3CD3S1M832TA

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT PNP 40V/1A Sch Comb

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知：  MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010

标准包装：  3,000

晶体管类型：  PNP + Diode (Isolated)

- 集电极电流（Ic）（最大）：  3A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  40V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  370mV @ 250mA, 2.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  25nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  60 @ 1.5A, 2V

功率 - 最大：  3W

频率转换：  190MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-MLP

供应商器件封装：  8-MLP/DFN (3x2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  3A

晶体管类型：  PNP + Diode (Isolated)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  190MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  370mV @ 250mA, 2.5A

电流 - 集电极截止（最大）：  25nA

标准包装：  3,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  40V

供应商设备封装：  8-MLP/DFN (3x2)

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  3W

封装/外壳：  8-MLP

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  60 @ 1.5A, 2V

其他名称：  ZX3CD3S1M832CT

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

增益带宽产品fT：  190 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  - 7.5 V

最大功率耗散：  3000 mW

直流集电极/增益hfe最小值：  300 at 10 mA at 2 V, 300 at 100 mA at 2 V, 180 at 1 A at 2 V, 60 at 1.5 A at 2 V, 12 at 3 A at 2 V

直流电流增益hFE最大值：  300

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  40 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  50 V

集电极最大直流电流：  3 A

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  In Transition