型号:  ZX5T851A

功能描述:   Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 3-Pin E-Line

制造商:  diodes, inc

Rohs：  Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：  4,000

晶体管类型：  NPN

- 集电极电流（Ic）（最大）：  4.5A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  60V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  210mV @ 200mA, 5A

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 2A, 1V

功率 - 最大：  1W

频率转换：  130MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：  TO-92-3

包装材料 ：  Bulk

包装：  3E-Line

类型：  NPN

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  60 V

集电极最大直流电流：  4.5 A

最小直流电流增益：  100@10mA@1V|100@2A@1V|55@5A@1V|20@10A@1V

最大工作频率：  130(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.03@5mA@100mA|0.055@100mA@1A|0.65@50mA@1A|0.13@50mA@2A|0.21@200mA@5A V

最大集电极基极电压：  150 V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  1000 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

单位包：  4000

最小起订量：  4000

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  4.5A

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Through Hole

频率 - 转换：  130MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  210mV @ 200mA, 5A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  60V

供应商设备封装：  TO-92-3

封装：  Bulk

功率 - 最大：  1W

封装/外壳：  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 2A, 1V

RoHS指令：  Contains lead / RoHS non-compliant

工厂包装数量：  4000

增益带宽产品fT：  130 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  7 V

直流集电极/增益hfe最小值：  100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 55 at 5 A at 1 V, 20 at 10 A at 1 V

直流电流增益hFE最大值：  100 at 10 mA at 1 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  60 V

安装风格：  Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO：  150 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C