型号:  ZXM62P03GTA

功能描述:   MOSFET 30V P-Chnl HDMOS

制造商:  Diodes Inc.

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  2.9A

Rds（最大）@ ID，VGS：  150 mOhm @ 1.6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  10.2nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  330pF @ 25V

功率 - 最大：  2W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：  SOT-223

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  2.9A (Ta), 4A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 250µA

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

供应商设备封装：  SOT-223

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  150 mOhm @ 1.6A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2W

标准包装：  1,000

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  330pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  10.2nC @ 10V

工厂包装数量：  1000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  P-Channel

配置：  Single Dual Drain

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  - 4 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  230 mOhms

功率耗散：  3.9 W

最低工作温度：  - 55 C

典型关闭延迟时间：  13.9 ns

上升时间：  6.4 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  - 30 V

RoHS：  In Transition

下降时间：  10.3 ns